ماژول IGBT هفت تایی با پل سه فاز مدل 7MBR50UA120-50 برند FUJI

معرفی:

آی جی بی تی IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی است که از ترکیب 2 نوع ترانزیستور BJT و MOSFET ساخته شده است. بطوریکه از دید ورودی شما یک MOSFET را میبینید و از نظر خروجی یک BJT. BJTها و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل میکنند.

مشخصات:

• حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر: 1200 ولت
• حداکثر جریان اسمی کلکتور: 50 آمپر
• حداکثر توان: 205 وات
• برند: Fuji Electric

دیتاشیت